序號(hào)

項(xiàng)目

技術(shù)參數(shù)

備注

1

測(cè)試參數(shù)

Cp，Df，TV，IR，

2

測(cè)試儀器

是德科技容量表E4981A電橋 1臺(tái)；日本HIOKI絕緣表 2臺(tái)；

3

容量表

測(cè)試頻率

120Hz  1kHz 、1MHz

測(cè)試范圍

1PF-1mF多擋選擇

測(cè)試電壓

0-1V

測(cè)試精度

容量：±0.5%（1MHz）；±1% （1KHz）

• 損耗角偏差:
• 1MHz：測(cè)試設(shè)備測(cè)量值與E4981A儀表測(cè)量值之間誤差小于0.0002；
• IKHz：測(cè)試設(shè)備測(cè)量值與E4981A儀表測(cè)量值之間誤差小于0.002。

4

高阻表

*少電流分辨率

0.01fA，

測(cè)試電壓

DC10～1000V

電流測(cè)試精度

±（1%+10dgt）

充電電流

2mA～50mA

5

耐壓表

*高測(cè)試電壓

DC1000V

電流測(cè)試范圍

20pA~2mA

電流測(cè)試精度

±（1%+10dgt）

充電電流

2mA～50mA

6

測(cè)試芯片規(guī)格

本設(shè)備兼容芯片多層電容1515、2020、3030；

7

設(shè)備空轉(zhuǎn)運(yùn)行速度

150片/分鐘；

8

測(cè)試速度

3030: 80~120片/分鐘；

2020/1515：60~80片/分鐘；

（在測(cè)試過程中，由于每種電容的充電放電測(cè)試時(shí)間會(huì)有所區(qū)別，所以測(cè)試速度和產(chǎn)能上會(huì)有所區(qū)別的！）

9

合格**的測(cè)試合格率及重測(cè)率

測(cè)試合格率 ≥95%；

重測(cè)率≦5%；

10

測(cè)試要求：

合格倉產(chǎn)品合格率100%（即合格倉不能存在不合格品）；

NG倉誤判率≤1.5%；

重測(cè)率≤5%；

11

檔位（8個(gè)）

Df_NG檔 1個(gè)，Cp_NG檔1個(gè)，重測(cè)檔1個(gè)，TV/IR_NG檔1個(gè)，合格檔 4個(gè)；

12

測(cè)試后芯片外觀

會(huì)產(chǎn)生測(cè)試電極接觸痕跡，但能滿足客戶的外觀要求。芯片進(jìn)行搬送及接觸，無刮傷至露陶瓷體現(xiàn)象。